В последние годы, благодаря развитию технологий и повышению эффективности, применение светодиодов становится все более и более широким;с модернизацией светодиодных приложений рыночный спрос на светодиоды также развивался в направлении большей мощности и большей яркости, что также известно как светодиоды высокой мощности..

　　Для разработки мощных светодиодов большинство крупных производителей в настоящее время используют в качестве основы крупногабаритные одиночные низковольтные светодиоды постоянного тока.Есть два подхода: один представляет собой традиционную горизонтальную структуру, а другой представляет собой вертикальную проводящую структуру.Что касается первого подхода, процесс изготовления почти такой же, как и при изготовлении обычной малогабаритной матрицы.Другими словами, структура поперечного сечения у них одинакова, но отличается от кристалла небольшого размера, мощные светодиоды часто должны работать при больших токах.Ниже приведена небольшая несбалансированная конструкция электродов P и N, которая вызовет серьезный эффект скопления тока (скопление тока), что не только приведет к тому, что светодиодный чип не достигнет яркости, требуемой конструкцией, но также повредит надежности чипа.

Конечно, для предшествующих производителей микросхем/производителей микросхем этот подход обеспечивает высокую совместимость процессов (СОВМЕСТИМОСТЬ), и нет необходимости приобретать новые или специальные станки.С другой стороны, для производителей последующих систем разница в расположении периферийных устройств, таких как конструкция источника питания и т. д., невелика.Но, как упоминалось выше, равномерно распределить ток по крупногабаритным светодиодам непросто.Чем больше размер, тем сложнее.В то же время из-за геометрических эффектов светоотдача крупногабаритных светодиодов зачастую ниже, чем у меньших..Второй способ намного сложнее первого.Поскольку современные коммерческие синие светодиоды почти все выращиваются на сапфировой подложке, для перехода к вертикальной проводящей структуре ее необходимо сначала приклеить к проводящей подложке, а затем удалить непроводящую сапфировую подложку, а затем выполнить последующий процесс. выполнен;с точки зрения распределения тока, поскольку в вертикальной структуре меньше необходимости учитывать боковую проводимость, поэтому однородность тока лучше, чем в традиционной горизонтальной структуре;кроме того, основные с точки зрения физических принципов материалы с хорошей электропроводностью также обладают характеристиками высокой теплопроводности.Заменяя подложку, мы также улучшаем рассеивание тепла и снижаем температуру перехода, что косвенно улучшает светоотдачу.Однако самым большим недостатком этого подхода является то, что из-за повышенной сложности процесса производительность ниже, чем у традиционной уровневой структуры, а стоимость производства намного выше.